MT53D512M32D2DS-046 vs MT53D512M32D2DS-053 WT:D Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT53D512M32D2DS-046 por Micron Technology y MT53D512M32D2DS-053 WT:D por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT53D512M32D2DS-046 - 16Gb LPDDR4 2133MHz DRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-046 ✓ ActivoMicron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT53D512M32D2DS-046 | MT53D512M32D2DS-053 WT:D |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $61,75 | $6,05 |
| Tipo de memoria | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Tamaño de memoria | 16 Gbit | 16 Gbit (2 GB) |
| Organización de memoria | 512M x 32 | 512M x 32 |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] |
| Encapsulado | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -30C to +85C (WT grade) | -40C to +85C |
| Die Configuration | DDP (Dual Die Package) | DDP (Double Die Package) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Interfaz | LPDDR4 (JEDEC mobile SDRAM) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS Compliant (per DigiKey listing) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.866 GHz (1866 MT/s) |
| Speed Grade | — | -053 |
| Características | — | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask |
| Ancho del bus de datos | — | 32 bit |
| Memory Interface | — | Parallel, LPDDR4 |
| Self-Refresh | — | Auto self-refresh with temperature-compensated refresh |
| Refresh | — | Auto refresh and self refresh |